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EGF1A - EGF1D
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
EGF1A-EGF1D, Rev. D
EGF1A - EGF1D
Fast Rectifiers (Glass Passivated)
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Features
?
Low forward voltage drop.
?
Low profile package.
?
Fast switching for high efficiency.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND
DENOTES CATHODE
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1C 1D
VF
Forward Voltage @ 1.0 A 1.0 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A
50 ns
IR
Reverse Current @ rated VR TA = 25°C
10
μA
100
μA
TA = 100°C
CT
Total Capacitance
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
15 pF
Value
Symbol
Parameter
1A 1B 1C 1D
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 150 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current, @ T
L
= 100°C 1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30 A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 2.0 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 30
°C/W
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
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